光電二極管基本特性和主要參數(shù)
電壓·電流特性。
光電二極管的電壓—電流特性在無(wú)光照時(shí)，它的特性與一般二極管一樣。受光后，它的特性曲線沿電流軸向下平移，平移的幅度與光照強(qiáng)度成正比例。特性曲線在第三象*，表達(dá)了管子在加有反向電壓并受光照時(shí)的反向特性。此特性表明：
a．反向電流隨入射光照度的增加而增大，在一定的反向電壓范圍內(nèi)，反向電流的大小幾乎與反向電壓高低無(wú)關(guān)。
b．在入射照度一定時(shí)，光電二極管相當(dāng)于一個(gè)恒流源，其輸出電壓與負(fù)載電阻增大而升高。如只r1～>r2，則輸出電壓url>uc，其中url=uc—ul，ur2=uc—u2。特性曲線在第四象*，它呈光電池特性，光照強(qiáng)度越大，負(fù)載電阻越小，電流越大。即r1>r2時(shí)，則i2>i1。
②反向工作電壓ur。
在無(wú)光照時(shí)，光電二極管中反向電流≤0．2—0．31µa時(shí)，允許的反向電壓一般不大于10v，可達(dá)50v。
③暗電流id。
在無(wú)光照時(shí)，加一定反向電壓時(shí)的反向漏電流與暗電流。通常在50v反壓下的暗電流小于100na。
④光電流il。
在受到一定光照及一定反壓條件下，流過(guò)管子的電流為光電流。一般光電流為幾十μa，并且與照度成線性關(guān)系。
⑤光譜響應(yīng)特性。
硅光電二極管的光譜范圍為400～1100nm，其峰值波長(zhǎng)為880～900nm，這與gaas紅外發(fā)光二極管的波長(zhǎng)相匹配，可獲得較高的傳輸效率
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